Jung-bae Lee، که تجارت حافظه سامسونگ را رهبری می کند، گفت که این شرکت در بیش از 40 سال گذشته یک تریلیون گیگابایت حافظه تولید کرده است. قابل توجه است، حدود نیمی از این ظرفیت تنها در سه سال گذشته تولید شده است، که نشان دهنده تقاضای بی سابقه با ادامه تکامل دیجیتال ما است.
سامسونگ برنامه های 1000 لایه V-NAND و GDDR7 را در کنفرانس سالانه فناوری به اشتراک می گذارد
بر این باور است که راه‌حل‌های مخرب در الگوسازی، معماری و متریال در کوچک‌تر کردن این فرآیند بسیار مؤثر است، به‌طوری‌که یکی از نمونه‌های فناوری آینده‌نگر مواد High-K است که در حال حاضر در حال توسعه است.
سامسونگ یک دهه است که فناوری V-NAND خود را تکرار کرده است و در چندین نسل پیشرفت کرده است. آب میوه بدون شک ارزش فشار دادن را دارد زیرا سامسونگ در طول هشت نسل 10 برابر تعداد لایه ها و 15 برابر رشد بیت را دریافته است.
چه اتفاقی افتاده؟ سامسونگ در کنفرانس سالانه روز فناوری خود در سن خوزه از نسل پنجم DRAM کلاس 10 نانومتری (1b) و همچنین فناوری NAND عمودی (V-NAND) نسل هشتم و نهم خود رونمایی کرد. انتظار می‌رود که DRAM 1b جدید در سال 2023 وارد تولید انبوه شود، اما سامسونگ در حال حاضر سخت در تلاش است تا بر چالش‌های مقیاس‌پذیری فراتر از 10 نانومتر غلبه کند.
1 ترابایت TLC V-NAND این شرکت تا پایان سال در دسترس مشتریان قرار خواهد گرفت و کار روی نسل نهم V-NAND که قرار است در سال 2024 تولید انبوه شود، در حال انجام است. تا سال 2030، سامسونگ انتظار دارد بتواند بیش از 1000 دستگاه را روی هم قرار دهد. لایه ها در V-NAND آن.
روز فناوری سامسونگ از سال 2017 هر ساله برگزار می شود. کنفرانس امسال نشان دهنده بازگشت حضور حضوری پس از همه گیری بود. به گفته سامسونگ، بیش از 800 مشتری و شریک در این رویداد یک روزه در هتل هیلتون سن خوزه شرکت کردند.
سازنده سخت افزار همچنین انتقال خود را به فلاش سلول چهار سطحی (QLC) سرعت می بخشد و همزمان بازده انرژی را افزایش می دهد. سامسونگ گفت که این پیشرفت به طور خاص به کسانی که با هوش مصنوعی و برنامه های کاربردی داده های بزرگ کار می کنند کمک می کند.