اینتل و سایر شرکت های فناوری به سختی در حال کار برای تولید اولین تراشه حاوی یک تریلیون ترانزیستور هستند و همه آنها به دنبال مواد و ترکیبات جدید با ضخامت یک اتم (یعنی “2D”) به عنوان جایگزینی ممکن برای سیلیکون برای تولید آن هستند. ترانزیستورها
دانشمندان ظاهراً با طراحی یک «ساختار محدود هندسی که کنترل جنبشی مواد دوبعدی را تسهیل می‌کند» توانستند «همه چالش‌های بزرگ در رشد مواد دو بعدی با کیفیت بالا» را حل کنند. یکی دیگر از پیشرفت های فنی، نمایش “TMD های ناهمگونی تک دامنه ای در مقیاس ویفر” است. محققان از بسترهای مختلف و ترکیبات شیمیایی برای محدود کردن رشد هسته ها استفاده کردند و از بسترهای گفته شده به عنوان یک مانع فیزیکی استفاده کردند که “از تشکیل اپیتاکسی جانبی و رشد عمودی اجباری جلوگیری می کند.”
آینده نگر: یک تیم بین المللی از دانشمندان تحقیقاتی را در مورد روش جدیدی برای رشد مواد دو بعدی با استفاده از روشی منتشر کرده اند که می تواند الکترونیک مبتنی بر ترانزیستور دو بعدی را زودتر به بازار عرضه کند.
در حالی که مواد سه‌بعدی مورد استفاده برای تولید ترانزیستورهای سنتی فرآیند زبری و صاف شدن را طی می‌کنند تا به موادی با سطح یکنواخت تبدیل شوند، محققان می‌گویند، مواد دوبعدی نمی‌توانند و بنابراین نتیجه نهایی یک سطح ناهموار است که «داشتن یک سطح بزرگ را دشوار می‌کند. مقیاس، مواد دو بعدی با کیفیت بالا و یکنواخت.”
این دستاورد جدید، پایه ای قوی برای مواد دوبعدی قرار می دهد تا در محیط های صنعتی قرار گیرند و ایجاد فرآیندهای جدید تولید ترانزیستورهای دو بعدی را تسریع می بخشد. Bae گفت که محققان دیگر در حال مطالعه این ماده جدید در اندازه های بسیار کوچک از ده ها تا صدها میکرومتر هستند.
به گفته سانگ هون بائه، تکنیک رشد محدود جدید «می‌تواند تمام یافته‌های عالی در فیزیک مواد دو بعدی را با اجازه ساختن پیوندهای ناهمگون لایه به لایه یک دامنه در مقیاس ویفر، به سطح تجاری‌سازی برساند».
این کار جدید به رهبری سانگ هون بائه، استادیار مهندسی مکانیک و علم مواد در دانشکده مهندسی مک‌کلوی در دانشگاه واشنگتن در سنت لوئیس، و دو محقق دیگر، شامل دو پیشرفت فنی است که دستگاه‌های الکترونیکی را «سریع‌تر و کاربردی‌تر» می‌کند. قدرت کمتر.”
قانون مور هنوز نمرده است و به لطف تحقیقات پیشگامانه یک تیم بین المللی و چند نهادی از دانشمندان، به زودی می تواند جان تازه ای بگیرد. محققان در جستجوی روش‌های جدید برای توسعه مواد دوبعدی، ظاهراً یک فرآیند رو به رشد “امیدبخش” را توسعه داده‌اند که می‌تواند انرژی نسل بعدی الکترونیک را تامین کند.
این تحقیق در Nature منتشر شده است و روشی رو به رشد را ارائه می کند که می تواند بر سه چالش بسیار دشوار برای ایجاد مواد جدید غلبه کند. این چالش ها شامل ایمن سازی تک بلوری در مقیاس ویفر، جلوگیری از ضخامت نامنظم در طول رشد در مقیاس ویفر، ناهم ساختارهای عمودی در مقیاس ویفر است.
