مدیر عامل اینتل از پرداختن به شایعات و نگرانیهای پیرامون تلاشهای مبتنی بر 3 نانومتر این شرکت ابایی نداشت. گلسینگر در عوض به ادعاها پاسخ داد و سعی کرد با اطمینان دادن به شرکتکنندگان که فناوریهای گرافیکی 3 نانومتری Granite Rapids، Sierra Forest و TSMC بر اساس برنامهریزیشده در حال پیشرفت هستند، شک و تردید پیشرفت اینتل را برطرف کند.
اینتل موضع خود را در مورد خدمات ریخته گری داخلی خود حفظ می کند و به مشتریان و سهامداران اطمینان می دهد که گره های داخلی فرآیند 3 نانومتری در اواخر سال 2023 وارد تولید و توزیع خواهند شد. گزارش های اخیر همچنین نشان می دهد که پشتیبانی 3 نانومتری TSMC امیدوارکننده به نظر می رسد و در اواخر سال 2023 به تولید کامل می رسد. و منجر به بازدهی تا 80 درصد می شود.
یک مثال خوب از نامهای گرههای پردازشی که معنای زیادی ندارند، فرآیند 10 نانومتری قبلی اینتل و فرآیند 7 نانومتری سامسونگ است. برای مشتری معمولی، گره فرآیند 7 نانومتری به عنوان یک پیشرفت و مزیت قابل توجه نسبت به قطعات 10 نانومتری اینتل ساخته شده است. اما هنگام بررسی مشخصات هر گره، مشخص شد که گرههای فرآیند 10 نانومتری و 7 نانومتری ویژگیهای بسیار مشابهی دارند.
تلاش های اینتل برای بازیابی جایگاهی در فضای سخت افزاری مصرف کننده و مرکز داده همچنان در حال رشد است. به گفته گلسینگر، او مطمئن است که شرکت در مورد چالشهای اجرایی قبلی به گوشه اصلی رسیده است و قاطعانه معتقد است که “…این شایعات، مانند بسیاری دیگر، با اجرای ما ثابت میشود که کاملا نادرست هستند.”
به طور خلاصه: در اوایل این ماه، چندین فروشگاه تاخیر در فناوریهای 3 نانومتری آینده اینتل را گزارش کردند. پت گلسینگر، مدیر عامل شرکت، این شایعات را در جریان تماس به روز رسانی تخصیص سرمایه اینتل رد کرد و به شرکت کنندگان اطمینان داد که محصولات مبتنی بر گره های 3 نانومتری اینتل و TSMC در مسیر تاریخ انتشار برنامه ریزی شده خود قرار دارند. گلسینگر این شایعات را به شایعاتی که در مورد فرآیند Intel 4 منتشر شده بود تشبیه می کند که در آن زمان نیز نادرست بودن آنها ثابت شد.